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Elektronische Halbleiter
| Bild | Teil # | Beschreibung | fabricant | Auf Lager | RFQ | |
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![Qualität [#varpname#] usine](http://www.passive-electronicparts.com/images/load_icon.gif){kind=icon}
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RM24EP64C-BSNC-T |
NVRAM 8-SOIC-N, 2.7V, T&R, Sterilization Tolerant
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Adesto-Technologien
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DS1245AB-120+ |
NVRAM 1024K SRAM Nonvolatile
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Maxim integriert
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Die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Anforderungen gelten nicht für die Produktion von Kraftfahrzeugen. |
NVRAM 256Kb 45ns 32K x 8 AutoStore nvSRAM
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Zypress Halbleiter
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DS1330ABP-70+ |
NVRAM 256K NV RAM w/Battery Monitor
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Maxim integriert
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RM24EP128A-BSNC-T |
NVRAM 128Kb, 2.7V Commercial temp
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Adesto-Technologien
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DS1245WP-100IND+ |
NVRAM 3.3V 1024K SRAM Nonvolatile
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Maxim integriert
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CG7976AA |
NVRAM Non Volatile SRAMs
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Zypress Halbleiter
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DS1220AB-150+ |
NVRAM 16k Nonvolatile SRAM
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Maxim integriert
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DS1265W-100+ |
NVRAM 3.3V 8M NV SRAM
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Maxim integriert
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DS1230WP-100+ |
NVRAM 3.3V 256k Nonvolatile SRAM
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Maxim integriert
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DS1230W-100IND+ |
NVRAM 3.3V 256k Nonvolatile SRAM
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Maxim integriert
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DS1230Y-200+ |
NVRAM 256k Nonvolatile SRAM
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Maxim integriert
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DS1230Y-200IND+ |
NVRAM 256k Nonvolatile SRAM
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Maxim integriert
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CAS-5140ZI-50-GT3 |
NVRAM DPP NONVOL SGL 256TAP I2C
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Ein- und zweimal
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DS1249Y-70IND# |
NVRAM 2048K NV SRAM
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Maxim integriert
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DS1350WP-100IND+ |
NVRAM 3.3V 4096K NV SRAM w/Battery Monitor
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Maxim integriert
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DS1225AD-70+ |
NVRAM 64k Nonvolatile SRAM
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Maxim integriert
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DS1350YP-70+ |
NVRAM 4096K NV SRAM w/Battery Monitor
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Maxim integriert
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DS1220AB-100IND+ |
NVRAM 16k Nonvolatile SRAM
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Maxim integriert
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DS28E81+ |
NVRAM Radiation Resistant 1-Wire ROM ID
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Maxim integriert
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DS1220AB-150IND+ |
NVRAM 16k Nonvolatile SRAM
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Maxim integriert
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DS1245Y-120+ |
NVRAM 1024K SRAM Nonvolatile
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Maxim integriert
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DS1225Y-200IND+ |
NVRAM 64K Nonvolatile SRAM
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Maxim integriert
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Die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Anforderungen gelten nicht. |
NVRAM 256Kb 45ns 32K x 8 AutoStore nvSRAM
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Zypress Halbleiter
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DS1350YP-70IND+ |
NVRAM 4096K NV SRAM w/Battery Monitor
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Maxim integriert
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DS1250Y-70+ |
NVRAM 4096K NV SRAM
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Maxim integriert
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DS1250ABP-70+ |
NVRAM 4096K NV SRAM
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Maxim integriert
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DS1245ABP-70+ |
NVRAM 1024K SRAM Nonvolatile
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Maxim integriert
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DS1270AB-70# |
NVRAM 16M NV SRAM
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Maxim integriert
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CG8332AAT |
NVRAM Non Volatile SRAMs
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Zypress Halbleiter
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DS1230Y-120IND+ |
NVRAM 256k Nonvolatile SRAM
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Maxim integriert
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Die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Anforderungen gelten für die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Fahrzeuge. |
NVRAM 256Kb 45ns 32K x 8 SoftStore nvSRAM
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Zypress Halbleiter
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DS1245AB-120IND+ |
NVRAM 1024K SRAM Nonvolatile
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Maxim integriert
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Die in Absatz 1 Buchstabe a genannten Anforderungen gelten nicht für die Produktion von Kraftfahrzeugen. |
NVRAM 64Kb 45ns 8K x 8 AutoStore nvSRAM
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Zypress Halbleiter
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CG8332AA |
NVRAM Non Volatile SRAMs
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Zypress Halbleiter
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DS1249Y-100# |
NVRAM 2048K NV SRAM
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Maxim integriert
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DS1245Y-85+ |
NVRAM 1024K SRAM Nonvolatile
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Maxim integriert
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DS1250AB-100+ |
NVRAM 4096K NV SRAM
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Maxim integriert
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Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten nicht für die in Absatz 1 genannten Fahrzeuge. |
EEPROM SEEPROM, 8K, 2W - 1.7-3.6V, 1MHz, Ind Tmp, 8-SOIC-N
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Atmel/Mikrochip-Technologie
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24VL014H/P |
EEPROM 1K 128 X 8 SERIAL EE 1.5V 1/2 ARRAY WP
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Mikrochiptechnik
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24LC64T-E/OT |
EEPROM 64K, 8Kx8 2.5V SER EE, EXT
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Mikrochiptechnik
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Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten nicht. |
EEPROM SEEPROM, 1K, SW - 1.7-3.6V, 125Kbps, Ind Tmp, 8-SOIC
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Atmel/Mikrochip-Technologie
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93C66CT-E/MNY |
EEPROM 4K, 512 X 8 OR 256X16 SERIAL EE,EXT
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Mikrochiptechnik
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24LC04BH-E/SN |
EEPROM 4K 512 X 8 2.5V SER EE EXT 1/2 ARAY WP
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Mikrochiptechnik
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24LCS52-I/ST |
EEPROM 256x8 - 2.5V
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Mikrochiptechnik
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24K512-E/SN |
EEPROM 512K 64K X 8 3V SER EE, EXT
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Mikrochiptechnik
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25AA256-I/ST |
EEPROM 32kx8 - 1.8V
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Mikrochiptechnik
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Die in Absatz 1 genannte Nummer gilt nicht für die in Absatz 1 genannte Nummer. |
EEPROM 1.8V
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Atmel/Mikrochip-Technologie
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Die in Absatz 1 genannte Angabe ist nicht anwendbar. |
EEPROM Crypto Products, ECC 8kb
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Atmel/Mikrochip-Technologie
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25AA080C-I/P |
EEPROM 8K 1K X 8 16B PAGE 1.8V SER EE IND
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Mikrochiptechnik
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