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Integrierte Schaltungen - IC
| Bild | Teil # | Beschreibung | fabricant | Auf Lager | RFQ | |
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S98WS512P00AW0013 |
Flash Memory Nor
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Zypress Halbleiter
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SST39VF1601-70-4I-B3KE |
Flash Memory 16M (1Mx16) 70ns Industrial Temp
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Mikrochiptechnik
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Die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Angaben sind zu beachten, sofern sie nicht in Anhang I der Verordnung (EU) Nr. 182/2011 enthalten sind. |
Flash Memory 32Mb 2.7V-3.6V SQI Flash Memory
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Mikrochiptechnik
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S26KS512SDPBHA020 |
Flash Memory NOR
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Zypress Halbleiter
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S25FL128SAGMFIG13 |
Flash Memory Nor
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Zypress Halbleiter
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Die in Absatz 1 Buchstabe a genannten Anforderungen gelten für die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Fahrzeuge. |
Flash Memory 64Mbit SPI/SQI flash, 105C, 2.3V-3.6V
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Mikrochiptechnik
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S29GL256P11TFI020D |
Flash Memory Nor
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Zypress Halbleiter
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S29GL256S10DHB023 |
Flash Memory Nor
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Zypress Halbleiter
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S25FS128SAGMFB101 |
Flash Memory Nor
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Zypress Halbleiter
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Die in Absatz 1 genannte Regelung gilt nicht für die Berechnung der in Absatz 1 genannte Leistung. |
Flash Memory 4.5 to 5.5 4Mbit Multi-Purpose Flash
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Mikrochiptechnik
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S29AL016J70FFN020 |
Flash Memory Nor
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Zypress Halbleiter
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S29CD032J0PFAI010E |
Flash Memory Nor
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Zypress Halbleiter
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IS25LQ016B-JBLE-TR |
Flash Memory 16M SPI, 8-pin SOP 208mil ET 2.3-3.6V
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ISSI
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Die Befehle für die Beförderung von Luftfahrzeugen sind in Anhang I der Verordnung (EG) Nr. 2111/2005 festgelegt. |
Flash Memory 256K, 2.3V, 104Mhz Serial Flash
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Adesto-Technologien
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Die Zulassung ist nur möglich, wenn die Zulassungsbedingungen erfüllt sind. |
Flash Memory 2.7 to 3.6V 32Mbit Multi-Purpose Flash
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Mikrochiptechnik
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IS29GL256S-90TFI01-TR |
Flash Memory Nor
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Zypress Halbleiter
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TH58BYG2S3HBAI4 |
Flash Memory 4Gb 1.8V IC Flash NAND & BENAND EEPROM
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Toshiba
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IS29GL128S-90DHI02-TR |
Flash Memory Nor
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Zypress Halbleiter
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Die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Angaben werden in Anhang I der Richtlinie 2008/57/EG aufgeführt. |
Flash Memory 2.7V to 3.6V 4Mbit Multi-Purpose Flash
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Mikrochiptechnik
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S26KL256SDABHI020 |
Flash Memory Nor
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Zypress Halbleiter
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S71VS128RC0AHKCL3 |
Flash Memory Nor
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Zypress Halbleiter
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IS25WP064-JKLE |
Flash Memory 64Mb QPI/QSPI, WSON, RoHS, ET
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ISSI
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Einheit für die Berechnung der in Anhang I der Verordnung (EU) Nr. 528/2012 aufgeführten Anforderungen |
Flash Memory IC 64MEG FLASH EEPROM
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Zypress Halbleiter
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S25FS128SDSMFI1D3 |
Flash Memory Nor
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Zypress Halbleiter
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S29GL256P90FFSS93 |
Flash Memory Nor
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Zypress Halbleiter
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S29AL008J70WEI019 |
Flash Memory Nor
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Zypress Halbleiter
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Die in Anhang I der Verordnung (EU) Nr. 515/2014 aufgeführten Daten sind in Anhang I der Verordnung (EU) Nr. 515/2014 zu entnehmen. |
Flash Memory 16M 2.3-3.6V 85Mhz Data Flash
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Adesto-Technologien
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S25FL064LABBHN023 |
Flash Memory Nor
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Zypress Halbleiter
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S34ML08G101TFI200 |
Flash Memory 8G, 3V, 25ns NAND Flash
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Zypress Halbleiter
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S25FL128SAGMFIG00 |
Flash Memory Nor
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Zypress Halbleiter
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S25FL064LABBHV023 |
Flash Memory Nor
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Zypress Halbleiter
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S29GL128P11TFI020D |
Flash Memory Nor
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Zypress Halbleiter
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S29GL032N11FFIS23 |
Flash Memory Nor
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Zypress Halbleiter
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S25FL164K0XMFIQ10 |
Flash Memory 64Mb, 3V, 108Mhz SPI NOR Flash
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Zypress Halbleiter
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S29GL064N11FFIS30 |
Flash Memory Nor
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Zypress Halbleiter
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S25FL128P0XMFI000M |
Flash Memory Nor
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Zypress Halbleiter
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Die Beförderungsnummern sind in Anhang I der Verordnung (EG) Nr. 216/2008 zu finden. |
Flash Memory 64M 1.65V-1.95V SPI 104MHz IND TEMP
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Adesto-Technologien
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S25FL256LAGMFB000 |
Flash Memory Nor
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Zypress Halbleiter
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S26KL128SDABHM030 |
Flash Memory NOR
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Zypress Halbleiter
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Der Begriff "Behandlung" ist in der Richtlinie 90/219/EWG zu verstehen. |
Flash Memory Nand
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Zypress Halbleiter
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Die in Anhang I der Verordnung (EU) Nr. 528/2012 aufgeführten Daten werden in Anhang II der Verordnung (EU) Nr. 528/2012 aufgenommen. |
Flash Memory 2.7 to 3.6V 16Mbit Multi-Purpose Flash
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Mikrochiptechnik
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Die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Anforderungen gelten nicht für die in Anhang I der Verordnung (EG) Nr. 396/2005 genannten Erzeugnisse. |
Flash Memory 2.7 to 3.6V 32Mbit Multi-Purpose Flash
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Mikrochiptechnik
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Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten nicht für die Bereitstellung von Dienstleistungen. |
Flash Memory 18- WLCSP, IND TEMP, 3V, T&R
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Adesto-Technologien
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S25FL164K0XMFA010 |
Flash Memory Nor
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Zypress Halbleiter
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Die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Anforderungen gelten nicht für die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Fahrzeuge. |
Flash Memory 16Mbit SQI Flash 1.8V
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Mikrochiptechnik
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S29GL01GS11FHSS50 |
Flash Memory Nor
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Zypress Halbleiter
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S29GL01GS11TFI020 |
Flash Memory 1G 3V 110ns Parallel NOR Flash
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Zypress Halbleiter
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S29PL032J70BAI122 |
Flash Memory 32MB Flash 3V 70ns Parallel NOR Flash
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Spansion/Zypresse
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Die in Absatz 1 genannte Regelung gilt nicht. |
Flash Memory 16M, 85MHZ, 2.3-3.6V SERIAL FLASH
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Adesto-Technologien
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Einheit für die Berechnung der Zulassungsdauer |
Flash Memory 32 MEG FLASH EEPROM
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Zypress Halbleiter
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