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Integrierte Schaltungen - IC

BildTeil #BeschreibungfabricantAuf LagerRFQ
Qualität S34ML01G100TFI003 usine

S34ML01G100TFI003

Flash Memory 1Gb 3V 25ns NAND Flash
Zypress Halbleiter
Qualität S25FL116K0XMFA011 usine

S25FL116K0XMFA011

Flash Memory Nor
Zypress Halbleiter
Qualität S29GL01GT10FHI020 usine

S29GL01GT10FHI020

Flash Memory Nor
Zypress Halbleiter
Qualität S29JL064J55BHI000 usine

S29JL064J55BHI000

Flash Memory Nor
Zypress Halbleiter
Qualität S29GL256S90FHI013 usine

S29GL256S90FHI013

Flash Memory Nor
Zypress Halbleiter
Qualität S29GL01GT12TFVV20 usine

S29GL01GT12TFVV20

Flash Memory NOR
Zypress Halbleiter
Qualität Die in Absatz 1 genannte Regelung gilt nicht für die Angabe von Nummern, die in Anhang I der Verordnung (EG) Nr. 216/2008 aufgeführt sind. usine

Die in Absatz 1 genannte Regelung gilt nicht für die Angabe von Nummern, die in Anhang I der Verordnung (EG) Nr. 216/2008 aufgeführt sind.

Flash Memory 4M 1.65V-4.4V SPI SerialFlash Dual-I/O
Adesto-Technologien
Qualität S29GL01GS11TFI010 usine

S29GL01GS11TFI010

Flash Memory 1G 3V 110ns Parallel NOR Flash
Zypress Halbleiter
Qualität Die in Absatz 1 genannte Regelung gilt nicht für die Berechnung der in Absatz 1 genannte Leistung. usine

Die in Absatz 1 genannte Regelung gilt nicht für die Berechnung der in Absatz 1 genannte Leistung.

Flash Memory 8-VDFN (6x8), IND TEMP, QUAD, 2.3V, T&R
Adesto-Technologien
Qualität S29GL256P11TAI010 usine

S29GL256P11TAI010

Flash Memory Nor
Zypress Halbleiter
Qualität S29AS016J70BHIF40 usine

S29AS016J70BHIF40

Flash Memory 16M, 1.8V, 70ns Parallel NOR Flash
Spansion/Zypresse
Qualität Einheit für die Berechnung der Werte für die Berechnung der Werte für die Berechnung der Werte für die Berechnung der Werte usine

Einheit für die Berechnung der Werte für die Berechnung der Werte für die Berechnung der Werte für die Berechnung der Werte

Flash Memory IC 32MEG FLASH EEPROM
Zypress Halbleiter
Qualität C3FBNY000364 usine

C3FBNY000364

Flash Memory Nor
Zypress Halbleiter
Qualität S25FL064LABNFV040 usine

S25FL064LABNFV040

Flash Memory Nor
Zypress Halbleiter
Qualität S25FL128SAGMFV013 usine

S25FL128SAGMFV013

Flash Memory Nor
Zypress Halbleiter
Qualität S29GL01GP12TFI020 usine

S29GL01GP12TFI020

Flash Memory 1GB 2.7-3.6V 120ns Parallel NOR Flash
Spansion/Zypresse
Qualität S29GL128P11FAI020 usine

S29GL128P11FAI020

Flash Memory 128MB 2.7-3.6V 110ns Parallel NOR Flash
Zypress Halbleiter
Qualität S25FL128SDPMFV013 usine

S25FL128SDPMFV013

Flash Memory Nor
Zypress Halbleiter
Qualität S25FL116K0XNFV010 usine

S25FL116K0XNFV010

Flash Memory Nor
Zypress Halbleiter
Qualität S26KS256SDPBHM023 usine

S26KS256SDPBHM023

Flash Memory Nor
Zypress Halbleiter
Qualität S29AS016J70YEI119 usine

S29AS016J70YEI119

Flash Memory Nor
Zypress Halbleiter
Qualität S70FS01GSAGMFV010 usine

S70FS01GSAGMFV010

Flash Memory NOR
Zypress Halbleiter
Qualität Die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Daten sind in Anhang I der Verordnung (EU) Nr. 1095/2010 zu entnehmen. usine

Die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Daten sind in Anhang I der Verordnung (EU) Nr. 1095/2010 zu entnehmen.

Flash Memory 8M (512Kx16) 70ns 2.7-3.6V Commercial
Mikrochiptechnik
Qualität Die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Anforderungen gelten nicht für die Berechnung der Zulassungsdauer. usine

Die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Anforderungen gelten nicht für die Berechnung der Zulassungsdauer.

Flash Memory 4Mb SQI Flash Memory 1.8V 8 TDFN
Mikrochiptechnik
Qualität S25FL512SAGBHI213 usine

S25FL512SAGBHI213

Flash Memory 512Mb 3V 133MHz Serial NOR Flash
Zypress Halbleiter
Qualität Die in Absatz 1 genannte Regelung gilt nicht für die Verwendung von Fahrzeugen, die mit einem Fahrzeug ausgestattet sind. usine

Die in Absatz 1 genannte Regelung gilt nicht für die Verwendung von Fahrzeugen, die mit einem Fahrzeug ausgestattet sind.

Flash Memory 8-SOIC-N, IND TEMP, 2.5V, TUBE
Adesto-Technologien
Qualität DK298757 usine

DK298757

Flash Memory Nor
Zypress Halbleiter
Qualität P770032CF0C000 usine

P770032CF0C000

Flash Memory Nor
Zypress Halbleiter
Qualität Die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Anforderungen gelten nicht für die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Fahrzeuge. usine

Die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Anforderungen gelten nicht für die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Fahrzeuge.

Flash Memory X-Energy, 8-TSSOP, IND TEMP, 1.65V-3.6V, TUBE
Adesto-Technologien
Qualität S29GL064S80BHV040 usine

S29GL064S80BHV040

Flash Memory Nor
Zypress Halbleiter
Qualität S25FL128SDSBHV203 usine

S25FL128SDSBHV203

Flash Memory Nor
Zypress Halbleiter
Qualität Einheit für die Bereitstellung von Dienstleistungen usine

Einheit für die Bereitstellung von Dienstleistungen

Flash Memory IC 256MEG FLASH EEPROM
Zypress Halbleiter
Qualität Die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Anforderungen gelten nicht für die Ausrüstung von Fahrzeugen, die mit einem Fahrzeug ausgestattet sind. usine

Die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Anforderungen gelten nicht für die Ausrüstung von Fahrzeugen, die mit einem Fahrzeug ausgestattet sind.

Flash Memory 4.5 to 5.5 2M b 70ns Multi-Prps Fl
Mikrochiptechnik
Qualität S25FL256SAGMFBG03 usine

S25FL256SAGMFBG03

Flash Memory Nor
Zypress Halbleiter
Qualität S25FL512SAGBHI310 usine

S25FL512SAGBHI310

Flash Memory 512Mb 3V 133MHz Serial NOR Flash
Zypress Halbleiter
Qualität IS25WP128-JBLE usine

IS25WP128-JBLE

Flash Memory 128Mb QPI/QSPI, 8-pin SOP 208Mil, RoHS, ET
ISSI
Qualität K770024CF0C000 usine

K770024CF0C000

Flash Memory Nor
Zypress Halbleiter
Qualität S29GL032N90FFI010 usine

S29GL032N90FFI010

Flash Memory 32Mb 3V 90ns Parallel NOR Flash
Zypress Halbleiter
Qualität S29CL032J0PQFM010 usine

S29CL032J0PQFM010

Flash Memory Nor
Zypress Halbleiter
Qualität S34ML04G100BHI003 usine

S34ML04G100BHI003

Flash Memory 4G, 3V, 25ns NAND Flash
Spansion/Zypresse
Qualität Die in Absatz 1 genannte Angabe ist nicht anwendbar. usine

Die in Absatz 1 genannte Angabe ist nicht anwendbar.

Flash Memory 1Mb, 2.3V, 104Mhz Serial Flash
Adesto-Technologien
Qualität S29GL512T10FAI010 usine

S29GL512T10FAI010

Flash Memory Nor
Zypress Halbleiter
Qualität IS29GL512S-11DHV023 usine

IS29GL512S-11DHV023

Flash Memory Nor
Zypress Halbleiter
Qualität Die in Absatz 1 genannte Angabe ist nicht anwendbar. usine

Die in Absatz 1 genannte Angabe ist nicht anwendbar.

Flash Memory 8-UDFN (5x6x0.6), IND TEMP, 2.5V, T&R
Adesto-Technologien
Qualität S34ML01G100TFV003 usine

S34ML01G100TFV003

Flash Memory Nand
Zypress Halbleiter
Qualität Die in Absatz 1 genannte Angabe ist nicht anwendbar. usine

Die in Absatz 1 genannte Angabe ist nicht anwendbar.

Flash Memory 32M 1.65V-1.95V SPI 104MHz IND TEMP
Adesto-Technologien
Qualität S71VS128RB0AHKCL0 usine

S71VS128RB0AHKCL0

Flash Memory Nor
Zypress Halbleiter
Qualität Die in Absatz 1 genannte Angabe ist nicht anwendbar. usine

Die in Absatz 1 genannte Angabe ist nicht anwendbar.

Flash Memory QPI,8-UDFN (5x6x0.6), IND TEMP, 1.8V, T&R
Adesto-Technologien
Qualität S25FL256SAGMFAG11 usine

S25FL256SAGMFAG11

Flash Memory Nor
Zypress Halbleiter
Qualität S29GL256P90FFSS80 usine

S29GL256P90FFSS80

Flash Memory Nor
Zypress Halbleiter
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