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Integrierte Schaltungen - IC
| Bild | Teil # | Beschreibung | fabricant | Auf Lager | RFQ | |
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Die Kommission kann die Mitgliedstaaten auffordern, die in Artikel 4 Absatz 1 genannten Maßnahmen zu ergreifen. |
IC DRAM 8G PARALLEL 800MHZ FBGA
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Mikrontechnologie
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M29F800FT55M3F2 TR |
IC FLASH 8M PARALLEL 44SO
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Mikrontechnologie
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M29W160EB80ZA3SE |
IC FLASH 16M PARALLEL 48TFBGA
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Mikrontechnologie
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M58WR064KB70ZB6E |
IC FLASH 64M PARALLEL 56VFBGA
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Mikrontechnologie
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Die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Anforderungen gelten nicht für die Bereitstellung von Sicherheitsdiensten. |
IC FLASH 512K SPI 104MHZ 8SOIC
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Adesto-Technologien
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N25Q128A13ESF40G |
IC FLASH 128M SPI 108MHZ 16SOP2
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Mikrontechnologie
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PC28F256M29EWHA |
IC FLASH 256M PARALLEL 64FBGA
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Mikrontechnologie
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MT29F32G08CBADAL83A3WC1-M |
IC FLASH 32G PARALLEL
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Mikrontechnologie
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USE Gefahrenabweichung |
IC DRAM 6G 1866MHZ FBGA
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Mikrontechnologie
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MT29RZ4B4DZZNGPL-18WE.4U2 TR |
IC FLASH 8G DDR2
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Mikrontechnologie
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USE Gefahrenabweichung |
IC FLASH 128M SPI 133MHZ 8WPDFN
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Mikrontechnologie
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BR24C01-DS6TP ist ein |
IC EEPROM 1K I2C 400KHZ 8TSSOP
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ROHM Halbleiter
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USE Gewichtung von Gewichtsverlust |
IC FLASH 1T PARALLEL 166MHZ
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Mikrontechnologie
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Die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Anforderungen gelten nicht für die Berechnung der Zulassungsdauer. |
IC FLASH 4M SPI 85MHZ 8SOIC
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Adesto-Technologien
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W29N01GVSIAA |
IC FLASH 1G PARALLEL 48TSOP
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Winbond Elektronik
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W97BH2KBVX2E |
IC DRAM 2G PARALLEL 134VFBGA
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Winbond Elektronik
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BR25S320FVM-WTR |
IC EEPROM 32K SPI 20MHZ 8MSOP
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ROHM Halbleiter
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Die in Absatz 1 genannten Daten werden in der Tabelle 1 aufgeführt. |
IC DRAM 8G PARALLEL 216FBGA
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Mikrontechnologie
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USE Gefahrenabweichung |
IC FLASH 1G PARALLEL 63VFBGA
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Mikrontechnologie
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MT48LC32M8A2FB-75:D TR |
IC DRAM 256M PARALLEL 60FBGA
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Mikrontechnologie
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W978H2KBVX2E |
IC DRAM 256M PARALLEL 134VFBGA
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Winbond Elektronik
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W25Q32FVSFIG |
IC FLASH 32M SPI 104MHZ 16SOIC
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Winbond Elektronik
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Die Kommission kann die Mitgliedstaaten auffordern, die erforderlichen Maßnahmen zu treffen. |
IC FLASH 128G MMC 100LBGA
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Mikrontechnologie
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MT2B2B2B2B2B2B2B2B2B2 |
IC FLASH MLC 64G 8GX8
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Mikrontechnologie
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Der Verbraucher ist nicht verpflichtet, sich an die Produkte zu beteiligen. |
IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA
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Mikrontechnologie
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W25Q256FVFJF |
IC FLASH MEMORY 256MB
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Winbond Elektronik
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MX25U3235FZBI-10G |
IC FLASH 32MBIT
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MXIC, Macronix.
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PC28F00AP30TFA |
IC FLASH 1G PARALLEL 64EASYBGA
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Mikrontechnologie
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W631GU6MB11I |
IC SDRAM 1GBIT 933MHZ 96WBGA
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Winbond Elektronik
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MX29LV400CBTI-55Q |
IC FLASH 4M PARALLEL 48TSOP
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MXIC, Macronix.
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USE Gefahrenabweichung |
IC DRAM 128M PARALLEL 60FBGA
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Mikrontechnologie
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BR24C02-10TU-1. Das ist das.8 |
IC EEPROM 2K I2C 400KHZ 8TSSOP
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ROHM Halbleiter
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USE Gefahrenabweichung |
IC DRAM 288M PARALLEL 144UBGA
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Mikrontechnologie
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USE Verbrennungsmittel |
IC PSRAM 64M PARALLEL 54VFBGA
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Mikrontechnologie
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W25Q32DWSFIG TR |
IC FLASH 32M SPI 104MHZ 16SOIC
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Winbond Elektronik
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W631GU8MB15I TR |
IC SDRAM 1GBIT 667MHZ 78BGA
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Winbond Elektronik
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MT29F32G08CBADAWP:D |
IC FLASH 32G PARALLEL 48TSOP
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Mikrontechnologie
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MT46V32M8P-5B:M TR |
IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP
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Mikrontechnologie
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M58LR128KT85ZB5E |
IC FLASH 128M PARALLEL 56VFBGA
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Mikrontechnologie
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USE Gefahrenabweichung |
IC FLASH 256M PARALLEL 64TBGA
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Mikrontechnologie
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Die Kommission kann die Kommission auffordern, die für die Anwendung der Verordnung (EG) Nr. 45/2001 erforderlichen Maßnahmen zu treffen. |
IC DRAM 512M PARALLEL 60VFBGA
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Mikrontechnologie
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W957D6HBCX7I TR |
IC PSRAM 128M PARALLEL 54VFBGA
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Winbond Elektronik
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USE Gefahrenabweichung |
IC DRAM 2G PARALLEL 96FBGA
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Mikrontechnologie
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Die Angabe des Zulassungsdatums ist in Anhang I der Verordnung (EG) Nr. 1235/2008 zu entnehmen. |
IC FLASH RAM 4G PARALLEL 533MHZ
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Mikrontechnologie
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MX29LV800CTMC-70G |
IC FLASH 8M PARALLEL 44SOP
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MXIC, Macronix.
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USE Gefahrenabweichung |
IC FLASH 4G SPI SOIC
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Mikrontechnologie
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USE Gefahrenabweichung |
IC DRAM 8G PARALLEL 96FBGA
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Mikrontechnologie
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MT46V32M8P-5B L:M |
IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP
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Mikrontechnologie
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MT41K256M8DA-15E:M |
IC DRAM 2G PARALLEL 78FBGA
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Mikrontechnologie
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Bei der Verwendung der in Anhang I aufgeführten Verfahren: |
IC EEPROM 8K SPI 5MHZ 8VCSP50L2
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ROHM Halbleiter
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