IRLML2060TRPBF Infineon Einzel-N-Kanal-HEXFET LeistungsmOSFET
Teilnummer: IRLML2060TRPBF
Produktübersicht:DieIRLML2060TRPBFist ein leistungsstarkerN-Kanal-MOSFETDiese Komponente ist für Anwendungen konzipiert, die ein effizientes Schalten, einen geringen Widerstand und eine hohe Geschwindigkeit in kompakten Verpackungen erfordern.
Hauptmerkmale:
- Typ: N-Kanal-MOSFET
- Ausläuferspannung (Vds): 20 V
- Kontinuierlicher Abflussstrom (Id): 6.3A
- Schrankschwellenspannung (Vgs ((th)): 1V bis 3V
- Höchstspannung der Torquelle (Vgs): ± 12V
- An-Widerstand (Rds ((an)): 0.025Ω bei Vgs = 4,5 V
- Gesamte Torgebühr (Qg): 10nC
- Packungsart: SOT-23
- Betriebstemperaturbereich: -55°C bis +150°C
- Einhaltung der Vorschriften: RoHS-konform
Anwendungsbereiche:
- Wechseln von Anwendungen:Ideal für den Einsatz in Hochgeschwindigkeits-Schaltkreisen aufgrund seiner schnellen Schaltmöglichkeiten.
- Lastschalter:Geeignet für Anwendungen, die einen geringen Einsatzwiderstand und eine effiziente Lastübertragung erfordern.
- DC-DC-Wandler:In Stromumwandlungsschaltkreisen zur Effizienzsteigerung verwendet.
- Motorantriebe:Bietet eine zuverlässige Leistung in Anwendungen zur Steuerung von Motoren.
- Batteriemanagement:Gewährleistet eine effiziente Batterieverwendung und -schutz in batteriebetriebenen Geräten.
Einrichtung und Verwendung:
DieIRLML2060TRPBFDas SOT-23-Paket ermöglicht eine kompakte Oberflächenmontage-Technologie (SMT) auf Leiterplatten (PCBs).Eine ordnungsgemäße Handhabung und Installation sind unerlässlich, um die Leistung und Zuverlässigkeit zu maximieren.
Gründe für die Wahl der IRLML2060TRPBF:
Auswahl derIRLML2060TRPBFSie müssen sicherstellen, dass Sie einehochwertiges N-Kanal-MOSFETmitausgezeichnete Leistung und ZuverlässigkeitDiese Komponente wird die Effizienz und Funktionalität Ihrer elektronischen Systeme verbessern, indem siewirksame UmstellungundNiedriger Einsatzwiderstand.
Kaufen Sie heute noch die IRLML2060TRPBF, um Ihre elektronischen Designs zu optimieren und eine überlegene Leistung und Zuverlässigkeit zu gewährleisten!
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BFP420H6327XTSA1 Infineon NPN Silizium-RF-Transistor
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IRF9328TRPBF Infineon Einzelkanal-P-HEXFET-Leistungs-MOSFET
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IRFR220NTRPBF Infineon Einzel-N-Kanal-IR-MOSFET
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IRFR9120NTRPBF Infineon Einzelkanal-IR-MOSFET
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IRF540NSTRRPBF Infineon IR MOSFET 100 V in einer D2PAK-Verpackung
Bild | Teil # | Beschreibung | |
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BFP420H6327XTSA1 Infineon NPN Silizium-RF-Transistor |
BFP420H6327XTSA1 BFP420 Overview Parametrics Documents Order Design Support Packaging Support NPN Silicon RF Transist
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IRF9328TRPBF Infineon Einzelkanal-P-HEXFET-Leistungs-MOSFET |
IRF9328TRPBF IRF9328 30V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package
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IRFR220NTRPBF Infineon Einzel-N-Kanal-IR-MOSFET |
IRFR220NTRPBF IRFR220N 200V Single N-Channel IR MOSFET in a D-Pak package
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IRFR9120NTRPBF Infineon Einzelkanal-IR-MOSFET |
IRFR9120NTRPBF IRFR9120N 100V Single P-Channel IR MOSFET in a D-Pak package
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IRF540NSTRRPBF Infineon IR MOSFET 100 V in einer D2PAK-Verpackung |
IRF540NSTRRPBF IRF540NS 100V33A IR MOSFET
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