BFP420H6327XTSA1 Infineon NPN Silizium-RF-Transistor
Teilnummer: BFP420H6327XTSA1
Produktübersicht:DieBFP420H6327XTSA1ist ein leistungsstarkerNPN-HF-TransistorDiese Komponente ist für Anwendungen konzipiert, die eine geringe Geräuschmenge, einen hohen Gewinn und eine hohe Geschwindigkeit in kompakten Verpackungen erfordern.
Hauptmerkmale:
- Typ: NPN-HF-Transistor
- Übergangsfrequenz (ft): 25 GHz
- Geräuschwerte (NF): 00,75 dB bei 2 GHz
- Gewinn (Gmax): 21 dB bei 1,8 GHz
- Spannung zwischen Kollektor und Emitter (Vce): 2V
- Kollektorstrom (Ic): 20 mA
- Packungsart: SOT-343
- Leistungsausfall (Ptot): 150 mW
- Betriebstemperaturbereich: -65°C bis +150°C
- Einhaltung der Vorschriften: RoHS-konform
Anwendungsbereiche:
- Geräuscharme Verstärker:Ideal für den Einsatz in Geräuschverstärkerkreisen aufgrund der geringen Geräuschmenge.
- Hochfrequenz-Oszillatorengeeignet für Hochfrequenz-Oszillatoranwendungen in Kommunikationssystemen.
- Funkverstärker:Wird in HF-Verstärkerkreisen zur verstärkten Signalverstärkung verwendet.
- Telekommunikation:Bietet eine zuverlässige Leistung in Telekommunikationsgeräten und -systemen.
- Prüf- und Messgeräte:Gewährleistet präzise und genaue Messungen in Prüfgeräten.
Einrichtung und Verwendung:
DieBFP420H6327XTSA1Der SOT-343-Paket ermöglicht eine kompakte Oberflächenmontage-Technologie (SMT) auf Leiterplatten (PCBs).Eine ordnungsgemäße Handhabung und Installation sind unerlässlich, um die Leistung und Zuverlässigkeit zu maximieren.
Gründe für die Wahl der BFP420H6327XTSA1:
Auswahl derBFP420H6327XTSA1Sie müssen sicherstellen, dass Sie einehochwertiger NPN-HF-Transistormitausgezeichnete Leistung und ZuverlässigkeitDiese Komponente wird die Effizienz und Funktionalität Ihrer elektronischen Systeme verbessern, indem siegeringer Lärm,hoher Gewinn, undHochgeschwindigkeitsleistung.
Kaufen Sie die BFP420H6327XTSA1 noch heute, um Ihre elektronischen Designs zu optimieren und eine überlegene Leistung und Zuverlässigkeit zu gewährleisten!
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IRF9328TRPBF Infineon Einzelkanal-P-HEXFET-Leistungs-MOSFET
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IRFR220NTRPBF Infineon Einzel-N-Kanal-IR-MOSFET
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IRFR9120NTRPBF Infineon Einzelkanal-IR-MOSFET
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IRLML2060TRPBF Infineon Einzel-N-Kanal-HEXFET LeistungsmOSFET
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IRF540NSTRRPBF Infineon IR MOSFET 100 V in einer D2PAK-Verpackung
Bild | Teil # | Beschreibung | |
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IRF9328TRPBF Infineon Einzelkanal-P-HEXFET-Leistungs-MOSFET |
IRF9328TRPBF IRF9328 30V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package
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IRFR220NTRPBF Infineon Einzel-N-Kanal-IR-MOSFET |
IRFR220NTRPBF IRFR220N 200V Single N-Channel IR MOSFET in a D-Pak package
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IRFR9120NTRPBF Infineon Einzelkanal-IR-MOSFET |
IRFR9120NTRPBF IRFR9120N 100V Single P-Channel IR MOSFET in a D-Pak package
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IRLML2060TRPBF Infineon Einzel-N-Kanal-HEXFET LeistungsmOSFET |
IRLML2060TRPBF IRLML2060 60V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a Micro 3 package
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IRF540NSTRRPBF Infineon IR MOSFET 100 V in einer D2PAK-Verpackung |
IRF540NSTRRPBF IRF540NS 100V33A IR MOSFET
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