IRFR9120NTRPBF Infineon Einzelkanal-IR-MOSFET
Teilnummer: IRFR9120NTRPBF
Produktübersicht:DieIRFR9120NTRPBFist ein leistungsstarkerP-Kanal-MOSFETDiese Komponente ist für Anwendungen konzipiert, die ein effizientes Schalten, einen geringen Widerstand und eine hohe Geschwindigkeit in kompakten Verpackungen erfordern.
Hauptmerkmale:
- Typ: P-Kanal-MOSFET
- Ausläuferspannung (Vds): -100 V
- Kontinuierlicher Abflussstrom (Id): -7.7A
- Schrankschwellenspannung (Vgs ((th)): 2 V bis 4 V
- Höchstspannung der Torquelle (Vgs): ± 20V
- An-Widerstand (Rds ((an)): 0.47Ω bei Vgs = -10V
- Gesamte Torgebühr (Qg): 52nC
- Packungsart: DPAK (TO-252)
- Betriebstemperaturbereich: -55°C bis +150°C
- Einhaltung der Vorschriften: RoHS-konform
Anwendungsbereiche:
- Wechseln von Anwendungen:Ideal für den Einsatz in Hochgeschwindigkeits-Schaltkreisen aufgrund seiner schnellen Schaltmöglichkeiten.
- Lastschalter:Geeignet für Anwendungen, die einen geringen Einsatzwiderstand und eine effiziente Lastübertragung erfordern.
- DC-DC-Wandler:In Stromumwandlungsschaltkreisen zur Effizienzsteigerung verwendet.
- Motorantriebe:Bietet eine zuverlässige Leistung in Anwendungen zur Steuerung von Motoren.
- Batteriemanagement:Gewährleistet eine effiziente Batterieverwendung und -schutz in batteriebetriebenen Geräten.
Einrichtung und Verwendung:
DieIRFR9120NTRPBFDas Paket DPAK (TO-252) ermöglicht eine kompakte Oberflächenmontage (SMT) an Leiterplatten (PCBs).Eine ordnungsgemäße Handhabung und Installation sind unerlässlich, um die Leistung und Zuverlässigkeit zu maximieren.
Gründe für die Wahl des IRFR9120NTRPBF:
Auswahl derIRFR9120NTRPBFSie müssen sicherstellen, dass Sie einehochwertiges P-Kanal-MOSFETmitausgezeichnete Leistung und ZuverlässigkeitDiese Komponente wird die Effizienz und Funktionalität Ihrer elektronischen Systeme verbessern, indem siewirksame UmstellungundNiedriger Einsatzwiderstand.
Kaufen Sie heute noch den IRFR9120NTRPBF, um Ihre elektronischen Designs zu optimieren und eine überlegene Leistung und Zuverlässigkeit zu gewährleisten!
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BFP420H6327XTSA1 Infineon NPN Silizium-RF-Transistor
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IRF9328TRPBF Infineon Einzelkanal-P-HEXFET-Leistungs-MOSFET
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IRFR220NTRPBF Infineon Einzel-N-Kanal-IR-MOSFET
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IRLML2060TRPBF Infineon Einzel-N-Kanal-HEXFET LeistungsmOSFET
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IRF540NSTRRPBF Infineon IR MOSFET 100 V in einer D2PAK-Verpackung
Bild | Teil # | Beschreibung | |
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BFP420H6327XTSA1 Infineon NPN Silizium-RF-Transistor |
BFP420H6327XTSA1 BFP420 Overview Parametrics Documents Order Design Support Packaging Support NPN Silicon RF Transist
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IRF9328TRPBF Infineon Einzelkanal-P-HEXFET-Leistungs-MOSFET |
IRF9328TRPBF IRF9328 30V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package
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IRFR220NTRPBF Infineon Einzel-N-Kanal-IR-MOSFET |
IRFR220NTRPBF IRFR220N 200V Single N-Channel IR MOSFET in a D-Pak package
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IRLML2060TRPBF Infineon Einzel-N-Kanal-HEXFET LeistungsmOSFET |
IRLML2060TRPBF IRLML2060 60V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a Micro 3 package
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IRF540NSTRRPBF Infineon IR MOSFET 100 V in einer D2PAK-Verpackung |
IRF540NSTRRPBF IRF540NS 100V33A IR MOSFET
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