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Elektronische Halbleiter

BildTeil #BeschreibungfabricantAuf LagerRFQ
Qualität MRFE6VP5300NR1 usine

MRFE6VP5300NR1

RF Power Discrete Transistors
NXP Halbleiter
Qualität BLC9G27XS-380AVTZ usine

BLC9G27XS-380AVTZ

RF Power Discrete Transistors
Ampleon USA Inc.
Qualität MRFE6VP61K25GNR6 usine

MRFE6VP61K25GNR6

RF Power Discrete Transistors
NXP Halbleiter
Qualität BLF984PSU usine

BLF984PSU

RF Power Discrete Transistors
Ampleon USA Inc.
Qualität QPA0004 usine

QPA0004

RF Amplifier
Qorvo
Qualität C1-12Z usine

C1-12Z

RF Power Discrete Transistors
NXP Halbleiter
Qualität BLP05H635XRY usine

BLP05H635XRY

RF Power Discrete Transistors
Ampleon USA Inc.
Qualität Einheit für die Bereitstellung von Daten usine

Einheit für die Bereitstellung von Daten

RF Power Discrete Transistors
NXP USA Inc.
Qualität BLF6G20-180PN,112 usine

BLF6G20-180PN,112

RF Power Discrete Transistors
Ampleon USA Inc.
Qualität 2N3632 usine

2N3632

RF Power Discrete Transistors
NXP Halbleiter
Qualität BLM7G1822S-20PBGY usine

BLM7G1822S-20PBGY

RF Amplifier
Ampleon USA Inc.
Qualität BLM10D2327-40ABZ usine

BLM10D2327-40ABZ

RF Amplifier
Ampleon USA Inc.
Qualität TGA2963 usine

TGA2963

RF Amplifier
Qorvo
Qualität QPD1029L usine

QPD1029L

RF Power Discrete Transistors
Qorvo
Qualität BLM9D3538-12AMZ usine

BLM9D3538-12AMZ

HF-Verstärker
Ampleon USA Inc.
Qualität QPD1022 usine

QPD1022

RF Power Discrete Transistors
Qorvo
Qualität TGF2934 usine

TGF2934

RF Power Discrete Transistors
Qorvo
Qualität Einheit für die Überwachung der Sicherheit der Luftfahrt usine

Einheit für die Überwachung der Sicherheit der Luftfahrt

RF Power Discrete Transistors
NXP USA Inc.
Qualität QPA2212 usine

QPA2212

RF Amplifier
Qorvo
Qualität BLC9H10XS-350AY usine

BLC9H10XS-350AY

RF Power Discrete Transistors
Ampleon USA Inc.
Qualität TP5002S usine

TP5002S

RF Power Discrete Transistors
NXP Halbleiter
Qualität MRFE6VP61K25HSR5 usine

MRFE6VP61K25HSR5

RF Power Discrete Transistors
NXP Halbleiter
Qualität BLC9H10XS-500AY usine

BLC9H10XS-500AY

RF Power Discrete Transistors
Ampleon USA Inc.
Qualität PTB20091 usine

PTB20091

RF Power Discrete Transistors
NXP Halbleiter
Qualität Einheit für die Bereitstellung von Daten über die Datenbank. usine

Einheit für die Bereitstellung von Daten über die Datenbank.

RF Power Discrete Transistors
NXP USA Inc.
Qualität BLM7G1822S-80ABGY usine

BLM7G1822S-80ABGY

RF Amplifier
Ampleon USA Inc.
Qualität ART2K0FEGJ usine

ART2K0FEGJ

RF Power Discrete Transistors
Ampleon USA Inc.
Qualität QPD1026L usine

QPD1026L

RF Power Discrete Transistors
Qorvo
Qualität QPA9419 usine

QPA9419

RF Amplifier
Qorvo
Qualität TGA2578 usine

TGA2578

RF Amplifier
Qorvo
Qualität BLC9H10XS-505AZ usine

BLC9H10XS-505AZ

RF Power Discrete Transistors
Ampleon USA Inc.
Qualität BLC9G27XS-380AVTY usine

BLC9G27XS-380AVTY

RF Power Discrete Transistors
Ampleon USA Inc.
Qualität BLM8G0710S-30PBY usine

BLM8G0710S-30PBY

HF-Verstärker
Ampleon USA Inc.
Qualität BLM10D3438-70ABGZ usine

BLM10D3438-70ABGZ

RF Amplifier
Ampleon USA Inc.
Qualität MRFE6VP6600NR3 usine

MRFE6VP6600NR3

RF Power Discrete Transistors
NXP Halbleiter
Qualität MRFE6VP100HSR5 usine

MRFE6VP100HSR5

RF Power Discrete Transistors
NXP Halbleiter
Qualität C2M60-28 usine

C2M60-28

RF Power Discrete Transistors
NXP Halbleiter
Qualität BLF6G22-45.112 usine

BLF6G22-45.112

RF Power Discrete Transistors
Ampleon USA Inc.
Qualität QPA2229D usine

QPA2229D

RF Amplifier
Qorvo
Qualität QPA9226 usine

QPA9226

RF Amplifier
Qorvo
Qualität MMRF1304GNR1 usine

MMRF1304GNR1

RF Power Discrete Transistors
NXP Halbleiter
Qualität R3005300L usine

R3005300L

HF-Verstärker 5-300MHz NF 5,5 dB Gewinn 31,5 dB
Qorvo
Qualität Die in Absatz 1 Buchstabe a genannten Anforderungen gelten für die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Fahrzeuge. usine

Die in Absatz 1 Buchstabe a genannten Anforderungen gelten für die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Fahrzeuge.

RF Power Discrete Transistors
Ampleon USA Inc.
Qualität MMRF1310HSR5 usine

MMRF1310HSR5

RF Power Discrete Transistors
NXP Halbleiter
Qualität UTV040F usine

UTV040F

RF Power Discrete Transistors
NXP Halbleiter
Qualität Die in Absatz 1 genannte Nummer gilt nicht. usine

Die in Absatz 1 genannte Nummer gilt nicht.

RF Power Discrete Transistors
NXP Halbleiter
Qualität BLC10G19XS-551AVY usine

BLC10G19XS-551AVY

RF Power Discrete Transistors
Ampleon USA Inc.
Qualität BLC9H10XS-300PY usine

BLC9H10XS-300PY

RF Power Discrete Transistors
Ampleon USA Inc.
Qualität Einheit für die Bereitstellung von Dienstleistungen usine

Einheit für die Bereitstellung von Dienstleistungen

RF Power Discrete Transistors
NXP Halbleiter
Qualität TPV364 usine

TPV364

RF Power Discrete Transistors
NXP Halbleiter
318 319 320 321 322