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Integrierte Schaltungen - IC

BildTeil #BeschreibungfabricantAuf LagerRFQ
Qualität HMC550AE usine

HMC550AE

IC MMIC SWITCH SPST 6GHZ SOT26
ADI / Analog Devices Inc.
Qualität Einheitliche Prüfungen usine

Einheitliche Prüfungen

SWITCH SPDT DC-3.0GHZ SC70-6LD
M/A-Com-Technologie
Qualität Die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Angaben sind zu beachten. usine

Die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Angaben sind zu beachten.

IC MMIC SW DPDT 2.4/6GHZ 6TSON
CEL
Qualität Einheitliche Vorschriften für die Verwendung von Maschinen usine

Einheitliche Vorschriften für die Verwendung von Maschinen

3T HMIC SWITCH W/BIAS Netzwerk
M/A-Com-Technologie
Qualität Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten nicht für die in Absatz 1 genannten Erzeugnisse. usine

Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten nicht für die in Absatz 1 genannten Erzeugnisse.

IC RF SWITCH SPDT 50 OHM 12QFN
P.S.
Qualität Masse der Masse der Masse usine

Masse der Masse der Masse

SPDT 75 OHM HIGH ISOLATION
M/A-Com-Technologie
Qualität HMC347 usine

HMC347

IC GAAS MESFET SW SPDT DIE
ADI / Analog Devices Inc.
Qualität ADRF5040BCPZ usine

ADRF5040BCPZ

HIGH ISOLATION, SP4T, 9KHZ - 12G
ADI / Analog Devices Inc.
Qualität HMC284MS8GE usine

HMC284MS8GE

IC MMIC GAAS SW SPDT 8MSOP
ADI / Analog Devices Inc.
Qualität HMC349MS8GE usine

HMC349MS8GE

IC GAAS MESFET SW SPDT 8MSOP
ADI / Analog Devices Inc.
Qualität PE42552MLIB usine

PE42552MLIB

IC RF SWITCH SPDT 50 OHM 16-QFN
P.S.
Qualität Die Maschine ist in der Lage, die Maschine zu bewegen. usine

Die Maschine ist in der Lage, die Maschine zu bewegen.

SWITCH SP4T 4MMQFN-24LD
M/A-Com-Technologie
Qualität CG2415M6 usine

CG2415M6

RF SWITCH 6GHZ SMD
CEL
Qualität HMC641LP4ETR usine

HMC641LP4ETR

IC SWITCH SP4T NON-REFL 24-QFN
ADI / Analog Devices Inc.
Qualität Die in Absatz 1 genannten Angaben sind zu beachten. usine

Die in Absatz 1 genannten Angaben sind zu beachten.

IC MMIC SPDT SWITCH 6-MINIMOLD
CEL
Qualität Das Verfahren ist wie folgt: usine

Das Verfahren ist wie folgt:

SWITCH SP3T ASSYMETRICAL 8DFN
M/A-Com-Technologie
Qualität Die Daten sind in der Tabelle 1 aufgeführt. usine

Die Daten sind in der Tabelle 1 aufgeführt.

IC SW SPDT 2:1 REFL MUX 8-MSOP
ADI / Analog Devices Inc.
Qualität 4231 bis 52 usine

4231 bis 52

IC RF SWITCH SPDT 75 OHM 8MSOP
P.S.
Qualität Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten nicht für die in Absatz 1 genannten Fahrzeuge. usine

Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten nicht für die in Absatz 1 genannten Fahrzeuge.

IC SW SPDT 50MHZ-6GHZ 6-TSON
CEL
Qualität PE42820MLBA-X usine

PE42820MLBA-X

IC RF SWITCH SPDT 50 OHM 32QFN
P.S.
Qualität MASW-010647-13950G usine

MASW-010647-13950G

SWITCH SP2TM DIE
M/A-Com-Technologie
Qualität HMC547LP3TR usine

HMC547LP3TR

IC MMIC SWITCH SPDT 16QFN
ADI / Analog Devices Inc.
Qualität Das System ist in der Lage, die Daten zu überwachen. usine

Das System ist in der Lage, die Daten zu überwachen.

IC RF SWITCH SP3T 100W 16HQFN
M/A-Com-Technologie
Qualität HMC922LP4ETR usine

HMC922LP4ETR

IC MMIC SWITCH SPDT DIFF 24-QFN
ADI / Analog Devices Inc.
Qualität PE42524A-X usine

PE42524A-X

IC RF SWITCH SPDT FCD
P.S.
Qualität Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten nicht für die Produktion von Kraftfahrzeugen, die mit einem Fahrzeug ausgestattet sind. usine

Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten nicht für die Produktion von Kraftfahrzeugen, die mit einem Fahrzeug ausgestattet sind.

IC SWITCH SPDT 6-TSON
CEL
Qualität Der Wert der Verbrennungsmenge ist zu messen. usine

Der Wert der Verbrennungsmenge ist zu messen.

RF Amplifier 3.3 - 3.8 GHz 34 dB
Qorvo
Qualität Einheitliche Datenbank usine

Einheitliche Datenbank

RF Amplifier
Qorvo
Qualität MHT1008NT1 usine

MHT1008NT1

RF Power Discrete Transistors
NXP USA Inc.
Qualität BLA9H0912L-250U usine

BLA9H0912L-250U

RF Power Discrete Transistors
Ampleon USA Inc.
Qualität BLF242 usine

BLF242

RF Power Discrete Transistors
NXP Halbleiter
Qualität Die in Anhang I der Verordnung (EU) Nr. 182/2011 aufgeführten Daten sind zu berücksichtigen. usine

Die in Anhang I der Verordnung (EU) Nr. 182/2011 aufgeführten Daten sind zu berücksichtigen.

HF-Leistungsdiskrete Transistoren
Qorvo
Qualität A3I25X050GNR1 usine

A3I25X050GNR1

RF Amplifier
NXP Halbleiter
Qualität C4H10P600AY usine

C4H10P600AY

RF Power Discrete Transistors
Ampleon USA Inc.
Qualität MRFE6VP5150NR1 usine

MRFE6VP5150NR1

RF Power Discrete Transistors
NXP Halbleiter
Qualität TGA2814 usine

TGA2814

Amplifier, Power, 3.1- 3.6 GHz, 80W, 22 dB, 30V, DIE, GaN
Qorvo
Qualität MD8IC970GNR1 usine

MD8IC970GNR1

RF Amplifier
NXP Halbleiter
Qualität BLF8G22LS-160BV,11 usine

BLF8G22LS-160BV,11

RF Power Discrete Transistors
Ampleon USA Inc.
Qualität Die in Absatz 1 genannten Angaben werden in Anhang I der Verordnung (EU) Nr. 182/2011 geändert. usine

Die in Absatz 1 genannten Angaben werden in Anhang I der Verordnung (EU) Nr. 182/2011 geändert.

RF Amplifier CATV, 0.05 - 1.2 GHz 22.5dBm,22 dB, 75Ohm
Qorvo
Qualität Der Wert der Verbrennungsmenge ist zu messen. usine

Der Wert der Verbrennungsmenge ist zu messen.

RF Amplifier 2.3 - 2.7 GHz 36 dB
Qorvo
Qualität Die in Absatz 1 genannten Angaben sind zu beachten. usine

Die in Absatz 1 genannten Angaben sind zu beachten.

RF Power Discrete Transistors
NXP Halbleiter
Qualität SD1222 usine

SD1222

RF Power Discrete Transistors
NXP Halbleiter
Qualität Einheit für die Berechnung der Zulassung usine

Einheit für die Berechnung der Zulassung

RF Power Discrete Transistors
NXP Halbleiter
Qualität BLV861 usine

BLV861

RF Power Discrete Transistors
NXP Halbleiter
Qualität Einheitliche Prüfungen usine

Einheitliche Prüfungen

RF Amplifier
Qorvo
Qualität TQP9221 usine

TQP9221

RF Amplifier
Qorvo
Qualität BLP10H660PGY usine

BLP10H660PGY

HF-Leistungsdiskrete Transistoren
Ampleon USA Inc.
Qualität BLS7G2730LS-200PU usine

BLS7G2730LS-200PU

RF Power Discrete Transistors
Ampleon USA Inc.
Qualität PT9700 usine

PT9700

RF Power Discrete Transistors
NXP Halbleiter
Qualität A5G23H110NT4 usine

A5G23H110NT4

HF-Leistungsdiskrete Transistoren
NXP USA Inc.
316 317 318 319 320