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Integrierte Schaltungen - IC

BildTeil #BeschreibungfabricantAuf LagerRFQ
Qualität BLF6G22-45.112 usine

BLF6G22-45.112

RF Power Discrete Transistors
Ampleon USA Inc.
Qualität QPA2229D usine

QPA2229D

RF Amplifier
Qorvo
Qualität QPA9226 usine

QPA9226

RF Amplifier
Qorvo
Qualität MMRF1304GNR1 usine

MMRF1304GNR1

RF Power Discrete Transistors
NXP Halbleiter
Qualität R3005300L usine

R3005300L

HF-Verstärker 5-300MHz NF 5,5 dB Gewinn 31,5 dB
Qorvo
Qualität Die in Absatz 1 Buchstabe a genannten Anforderungen gelten für die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Fahrzeuge. usine

Die in Absatz 1 Buchstabe a genannten Anforderungen gelten für die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Fahrzeuge.

RF Power Discrete Transistors
Ampleon USA Inc.
Qualität MMRF1310HSR5 usine

MMRF1310HSR5

RF Power Discrete Transistors
NXP Halbleiter
Qualität UTV040F usine

UTV040F

RF Power Discrete Transistors
NXP Halbleiter
Qualität Die in Absatz 1 genannte Nummer gilt nicht. usine

Die in Absatz 1 genannte Nummer gilt nicht.

RF Power Discrete Transistors
NXP Halbleiter
Qualität BLC10G19XS-551AVY usine

BLC10G19XS-551AVY

RF Power Discrete Transistors
Ampleon USA Inc.
Qualität BLC9H10XS-300PY usine

BLC9H10XS-300PY

RF Power Discrete Transistors
Ampleon USA Inc.
Qualität Einheit für die Bereitstellung von Dienstleistungen usine

Einheit für die Bereitstellung von Dienstleistungen

RF Power Discrete Transistors
NXP Halbleiter
Qualität TPV364 usine

TPV364

RF Power Discrete Transistors
NXP Halbleiter
Qualität BLW98 usine

BLW98

RF Power Discrete Transistors
NXP Halbleiter
Qualität BLC10G22XS-570AVTY usine

BLC10G22XS-570AVTY

RF Power Discrete Transistors
Ampleon USA Inc.
Qualität TGA2307-SM usine

TGA2307-SM

RF Amplifier
Qorvo
Qualität Die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Anforderungen gelten für die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Fahrzeuge. usine

Die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Anforderungen gelten für die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Fahrzeuge.

RF Power Discrete Transistors
Ampleon USA Inc.
Qualität BLF7G27L-90P,118 usine

BLF7G27L-90P,118

RF Power Discrete Transistors
Ampleon USA Inc.
Qualität MRF8VP13350NR5 usine

MRF8VP13350NR5

RF Power Discrete Transistors
NXP USA Inc.
Qualität A3T19H455W23SR6 usine

A3T19H455W23SR6

RF Power Discrete Transistors
NXP USA Inc.
Qualität SZM5066ZTR13 usine

SZM5066ZTR13

RF Amplifier 5.1-5.9GHz SSG 18dB Pout 25dBm
Qorvo
Qualität AFT20S015GNR1 usine

AFT20S015GNR1

RF Power Discrete Transistors
NXP Halbleiter
Qualität CMD262 usine

CMD262

RF Power Amplifier, GaN, 26 to 28 GHz, 26 dB, 37.5 dBm, DIE
Qorvo
Qualität BLM9D2327S-50PBY usine

BLM9D2327S-50PBY

RF Amplifier
Ampleon USA Inc.
Qualität Einheit für die Überwachung der Sicherheit der Luftfahrt usine

Einheit für die Überwachung der Sicherheit der Luftfahrt

RF Power Discrete Transistors
NXP USA Inc.
Qualität BLP0408H9S30Z usine

BLP0408H9S30Z

RF Power Discrete Transistors
Ampleon USA Inc.
Qualität QPD1016 usine

QPD1016

RF Power Discrete Transistors
Qorvo
Qualität MRF641 usine

MRF641

RF Power Discrete Transistors
NXP Halbleiter
Qualität TQP9218 usine

TQP9218

RF Amplifier
Qorvo
Qualität C4H18W500AZ usine

C4H18W500AZ

RF Power Discrete Transistors
Ampleon USA Inc.
Qualität VMIL100 usine

VMIL100

RF Power Discrete Transistors
NXP Halbleiter
Qualität TPV375 usine

TPV375

RF Power Discrete Transistors
NXP Halbleiter
Qualität BLV861MP usine

BLV861MP

RF Power Discrete Transistors
NXP Halbleiter
Qualität ZFBT-6G+ usine

ZFBT-6G+

RF Bias Tees
mit einer Leistung von mehr als 10 W
Qualität TCBT-2R5G+ usine

TCBT-2R5G+

RF Bias Tees
mit einer Leistung von mehr als 10 W
Qualität JEBT-4R2G+ usine

JEBT-4R2G+

RF Bias Tees
mit einer Leistung von mehr als 10 W
Qualität RDP-2R15+ usine

RDP-2R15+

RF Bias Tees
mit einer Leistung von mehr als 10 W
Qualität SDP-2R15+ usine

SDP-2R15+

RF Bias Tees
mit einer Leistung von mehr als 10 W
Qualität TCBT-6G+ usine

TCBT-6G+

RF Bias Tees
mit einer Leistung von mehr als 10 W
Qualität ZFBT-352-FT+ usine

ZFBT-352-FT+

RF Bias Tees
mit einer Leistung von mehr als 10 W
Qualität ZFBT-282-1,5A+ usine

ZFBT-282-1,5A+

RF Bias Tees
mit einer Leistung von mehr als 10 W
Qualität ZX75-23-S+ usine

ZX75-23-S+

RF Bias Tees
mit einer Leistung von mehr als 10 W
Qualität ZFBT-6GW+ usine

ZFBT-6GW+

RF Bias Tees
mit einer Leistung von mehr als 10 W
Qualität RDP-272+ usine

RDP-272+

RF Bias Tees
mit einer Leistung von mehr als 10 W
Qualität ZDPLX-2150-S+ usine

ZDPLX-2150-S+

RF Bias Tees
mit einer Leistung von mehr als 10 W
Qualität ZX85-12G-S+ usine

ZX85-12G-S+

HF-Bias-Tees
mit einer Leistung von mehr als 10 W
Qualität JEBT-4R2GW+ usine

JEBT-4R2GW+

RF Bias Tees
mit einer Leistung von mehr als 10 W
Qualität LDPG-272-492+ usine

LDPG-272-492+

RF Bias Tees
mit einer Leistung von mehr als 10 W
Qualität TCBT-14R+ usine

TCBT-14R+

RF Bias Tees
mit einer Leistung von mehr als 10 W
Qualität JEBT-4R2GW usine

JEBT-4R2GW

RF Bias Tees
mit einer Leistung von mehr als 10 W
318 319 320 321 322